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        HDZV型水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)泄漏電流測(cè)試儀

        • 發(fā)布日期:2025-01-06
        • 訪問(wèn)次數(shù):780
        • 地   址:上海寶山

        HDZV型水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)泄漏電流測(cè)試儀*應(yīng)用的 PW M 脈寬調(diào)制技術(shù)和大功率 IGBT 器件。并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式并能承受額定電壓放電而不損壞。

        一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

        HDZV型水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)泄漏電流測(cè)試儀采用中頻倍壓電路。*應(yīng)用的 PW M 脈寬調(diào)制技術(shù)和大功率 IGBT 器件。并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使HDZV型水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)泄漏電流測(cè)試儀實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式并能承受額定電壓放電而不損壞。

        HDZV 型系列水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)泄漏電流測(cè)試儀設(shè)計(jì)制造是專為水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)進(jìn)行泄漏電流和直流耐壓試驗(yàn)使用,

        設(shè)計(jì)制造的指導(dǎo)思想是以下幾點(diǎn):

        1 、 由于大型水冷發(fā)電機(jī)繞組傳導(dǎo)電流很大,在試驗(yàn)電壓下要 20 - 150 mA 左右不等。如果沒(méi)有足夠容量的直流高壓發(fā)生器,無(wú)法升壓。

        2 、 目前國(guó)內(nèi)的直流高壓試驗(yàn)器輸出電流一般都在 10mA 以內(nèi),輸出電流 200 mA 的高壓發(fā)生器屬于空白。

        3 、 直流試驗(yàn)對(duì)一般高壓電氣設(shè)備而言,能發(fā)現(xiàn)其絕緣的貫穿性缺陷,而對(duì)電機(jī)來(lái)說(shuō),它能*發(fā)現(xiàn)它的局部絕緣缺陷(定子線卷端部絕緣)這是其它試驗(yàn)無(wú)法替代的。

        4 、 為能對(duì)水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)組的準(zhǔn)確測(cè)量泄漏電流,HDZV 系列水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)泄漏電流測(cè)試儀特別設(shè)計(jì)了各種干擾電流的補(bǔ)償回路試驗(yàn)時(shí)可*排除雜散電流和匯水管的極化電勢(shì)干擾的影響,真正測(cè)到試品的電流。

        二、產(chǎn)品參數(shù)

        規(guī)范 kV/mA

        60/200

        60/300

        80/200

        80/300

        90/200

        90/300

        技術(shù)參數(shù)

        輸出電壓 kV

        60

        60

        80

        80

        90

        90

        輸出電流 mA

        200

        300

        200

        300

        200

        300

        輸出功率 W

        12000

        18000

        16000

        24000

        18000

        27000

        電壓測(cè)量誤差

        ≤1.0% ±2 個(gè)字

        電流測(cè)量誤差

        ≤1.0% ±2 個(gè)字

        過(guò)壓整定誤差

        ≤1.0%

        紋波系數(shù)

        ≤3.0%

        電壓穩(wěn)定度

        ≤1.0%

        電源電壓

        AC380V(三相四線)

        機(jī)箱重量

        25.0 kg

        25.0kg

        倍壓重量

        65.0kg

        70.0kg

        *應(yīng)用的 PW M 脈寬調(diào)制技術(shù)和大功率 IGBT 器件。并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式并能承受額定電壓放電而不損壞。*應(yīng)用的 PW M 脈寬調(diào)制技術(shù)和大功率 IGBT 器件。并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式并能承受額定電壓放電而不損壞。

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